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Schematische Darstellung eines Bits in einem MRAM-Baustein

Ausleseströmen setzt die linke Konfiguration einen kleinen, die rechte einen großen elektrischen Widerstand entgegen. Umkehren lässt sich die Magnetisierung der dünnen Schicht durch einen stärkeren Schreibstrom: Fließen die Elektronen von unten nach oben, richten sie ihre Spins in der dicken Schicht parallel zur Magnetisierung und dann in der dünnen Schicht deren Magnetisierung parallel zu ihrer eigenen aus (Schreibvorgang 1 zu 0). Fließen die Elektronen von oben nach unten, reicht die dünne Schicht dagegen nicht für eine vollständige Polarisierung. Elektronen mit Spin antiparallel zur dicken Schicht werden von dieser reflektiert und richten schließlich die dünne Schicht antiparallel aus (Schreibvorgang 0 zu 1).