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Messung der ferromagnetischen Resonanz

Aufbau des Experiments zur Messung der ferromagnetischen Resonanz in Gallium-Mangan-Arsenid. Die gekühlte Halbleiterprobe ist als dünne Schicht auf einem Substrat aus Galliumarsenid aufgebracht. Wird ein elektrischer Strom durch den Halbleiter geschickt, so entsteht eine Magnetisierung durch die Wechselwirkung der bewegten Elektronen mit ihren jeweiligen Spins. Diese Veränderung lässt sich in der gemessenen Spannung ablesen, die hier im Mikrovoltbereich liegt. Die beiden Pfeile zeigen Komponenten der Spins an, die durch den elektrischen Strom ausgerichtet wurden.